磁控濺射鍍膜設(shè)備是一種輝光放電的設(shè)備，其利用陰極濺射原理來進行鍍膜，那么其濺射機理是如何的呢？
    用高能粒子(大多數(shù)是由電場加速的氣體正離子)撞擊固體表面(靶)，使固體原子(分子)從表面射出的現(xiàn)象稱為濺射。濺射現(xiàn)象很早就為人們所認(rèn)識，通過前人的大量實驗研究，我們對這一重要物理現(xiàn)象得出以下幾點理論：

CCZK-SF磁控濺射鍍膜設(shè)備

    (1)濺射率隨入射離子能量的增加而增大;而在離子能量增加到一定程度時，由于離子注入效應(yīng)，濺射率將隨之減小;

    (2)濺射率的大小與入射粒子的質(zhì)量有關(guān):

    (3)當(dāng)入射離子的能量低于某一臨界值(閥值)時，不會發(fā)生濺射;

    (4)濺射原子的能量比蒸發(fā)原子的能量大許多倍;

    (5)入射離子的能量很低時，濺射原子角分布就不完全符合余弦分布規(guī)律。角分布還與入射離子方向有關(guān)。從單晶靶濺射出來的原子趨向于集中在晶體密度大的方向。

淺析磁控濺射鍍膜設(shè)備鍍膜優(yōu)勢

    (6)因為電子的質(zhì)量很小，所以即使使用具有極高能量的電子轟擊靶材也不會產(chǎn)生濺射現(xiàn)象。由于濺射是一個極為復(fù)雜的物理過程，涉及的因素很多，長期以來對于濺射機理雖然進行了很多的研究，提出過許多的理論，但都難以完善地解釋濺射現(xiàn)象。

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